湖南融创微电子有限公司蔡磊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南融创微电子有限公司申请的专利一种NVM存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210819205.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种NVM存储单元是由蔡磊;陈强;杨国庆;刘祥远;傅祎晖;谈斌设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NVM存储单元在说明书摘要公布了：本发明适用于存储技术领域，提供了一种NVM存储单元，包括P‑型掺杂衬底、NMOS管、两个PN结二极管以及N阱电容，所述NMOS管、两个所述PN结二极管以及所述N阱电容均设于所述P‑型掺杂衬底上，其中，两个所述PN结二极管和所述NMOS管的位置形成有源区，所述有源区内沉积有第一部分多晶栅，所述第一部分多晶栅被所述有源区包围，两个所述PN结二极管的P+型注入掺杂包围所述第一部分多晶栅的两侧。本发明中的NVM存储单元解决了辐射后NMOS管自身产生漏电的问题以及相邻两个NMOS管之间的漏电问题。
本发明授权一种NVM存储单元在权利要求书中公布了：1.一种NVM存储单元，其特征在于，包括P-型掺杂衬底、NMOS管、两个PN结二极管以及N阱电容，所述NMOS管、两个所述PN结二极管以及所述N阱电容均设于所述P-型掺杂衬底上，两个所述PN结二极管分别与所述NMOS管的源端和漏端电连接，两个所述PN结二极管远离所述NMOS管的一侧分别设置有第一寄生沟道和第二寄生沟道，所述N阱电容设置于所述第二寄生沟道的另一侧； 其中，两个所述PN结二极管和所述NMOS管的位置形成有源区，所述有源区内沉积有第一部分多晶栅，所述第一部分多晶栅被所述有源区包围，两个所述PN结二极管的P+型注入掺杂包围所述第一部分多晶栅的两侧； 所述N阱电容的另一侧设置有第三寄生沟道；所述第一部分多晶栅为H型结构。
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