华中科技大学唐江获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210842993.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法是由唐江;杨许可;陈超;李康华;薛家有;卢岳;包晓庆设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体薄膜退火处理技术领域，公开了一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，该方法是以硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境下，将硒化镉薄膜直接与导热基底贴合，同时对所述硒化镉薄膜施加压力，在保持压力条件下进行加热退火；由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，晶粒尺寸更大、且薄膜孔隙率更小。本发明通过在退火过程中对薄膜进行额外加压，配合加热热火对硒化镉薄膜进行后处理，能够改善当前硒化镉薄膜多孔与高粗糙度问题。
本发明授权一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法在权利要求书中公布了：1.一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，其特征在于，该方法由以下步骤构成： a以硒化镉薄膜作为处理对象，所述硒化镉薄膜是沉积在基底上的； b在保护性气体的气氛环境下，将位于基底上的硒化镉薄膜倒扣放置导热基底上，使硒化镉薄膜直接与导热基底贴合，同时自硒化镉薄膜上方对所述硒化镉薄膜施加压力，在保持压力条件下进行加热退火；由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，晶粒尺寸更大、且薄膜孔隙率更小，同时能够避免硒空位生成； 其中，所述导热基底与所述硒化镉薄膜之间不发生化学反应； 所述施加压力具体是通过在所述硒化镉薄膜上方放置物品实现的，通过该物品的重力作用，实现对所述硒化镉薄膜的加压；所述物品能够为硒化镉薄膜整体提供1.6～6.4×105Pa的压力；所述加热退火的退火时间为0.5h～2h； 所述保护性气体为氮气或惰性气体。
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