中国科学技术大学王秀霞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利基于卡西米尔效应的测量探针的制备方法及探针获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115215289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210849497.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权基于卡西米尔效应的测量探针的制备方法及探针是由王秀霞;张汇;刘雨辰;彭金兰;彭芳芳设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于卡西米尔效应的测量探针的制备方法及探针在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于卡西米尔效应的测量探针的制备方法及探针，该方法包括：在衬底上下表面分别沉积第一氮化硅层和第二氮化硅层；采用光刻胶刻蚀第一氮化硅层，在衬底一侧表面形成第一有效区域；在衬底上生长覆盖第一有效区域和衬底的遮盖层；采用光刻胶刻蚀第二氮化硅层，在衬底另一侧表面形成第二有效区域；采用碱性溶液去除未被第二有效区域覆盖的衬底；采用缓冲氧化物刻蚀液去除遮盖层，得到探针悬臂梁；取微球分散液滴加在载体上，烘干得到粘附于载体的微球；利用位移平台使探针悬臂梁的尖端蘸取紫外胶；通过紫外胶将微球黏附于尖端，形成微球针尖；通过紫外光照射微球针尖使紫外胶固化，得到包括微球针尖的测量探针。
本发明授权基于卡西米尔效应的测量探针的制备方法及探针在权利要求书中公布了：1.一种基于卡西米尔效应的测量探针的制备方法，包括： 在衬底上下表面分别沉积第一氮化硅层和第二氮化硅层； 采用光刻胶做掩膜刻蚀所述第一氮化硅层，在所述衬底一侧表面形成第一有效区域； 在所述衬底上生长覆盖所述第一有效区域和所述衬底的遮盖层； 采用光刻胶做掩膜刻蚀所述第二氮化硅层，在所述衬底另一侧表面形成第二有效区域； 采用碱性溶液去除未被所述第二有效区域覆盖的所述衬底； 采用缓冲氧化物刻蚀液去除所述遮盖层，得到探针悬臂梁； 取微球分散液滴加在载体上，烘干得到粘附于所述载体的微球； 利用位移平台使所述探针悬臂梁的尖端蘸取紫外胶； 利用位移平台通过所述紫外胶将所述微球黏附于所述尖端，形成微球针尖； 通过紫外光照射所述微球针尖使所述紫外胶固化，得到包括所述微球针尖的所述测量探针。
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