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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864506.1，技术领域涉及：H01L21/34；该发明授权基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法是由郑雪峰;岳少忠;张翔宇;洪悦华;张方;苑子健;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法，主要解决现有氧化镓二极管开启电压高的问题。其方案是：根据氢气易发生爆炸的浓度及氢原子在氧化镓材料中的扩散速度，选取氢气浓度为0.1％～4％和75.6％～100％；选取多只氧化镓二极管器件将其单层摆放固定在存储罐内的底部并密封，再往存储罐内充入所选的氢气，直到罐内压强达到0.1～3MPa；选取恒温箱设备，根据氢气的燃点温度设置其工作温度为20～350℃；将充有氢气且内部放有器件的存储罐放入恒温箱中，打开电源静置储存1～100天后关闭电源取出器件，实现对器件开启电压的降低。本发明有效降低了氧化镓二极管的开启电压，可应用于高频电力电子系统。

本发明授权基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法，其特征在于，包括如下步骤： 根据氢气易发生爆炸的浓度为4.0％～75.6％以及氢原子在氧化镓材料中的扩散速度，选取氢气浓度为0.1％～4％和75.6％～100％； 选取多只Ga2O3二极管器件按照与存储罐内底部相同的圆周单层平铺摆放后固定在存储罐内的底部，并将存储罐密封，再通过存储罐内置的单向充气口往存储罐内充入所选的氢气，直到存储罐内的压强达到0.1～3MPa；所述选取的Ga2O3二极管同时满足如下两个条件：其阳极金属必须包含Pt、Ni、Pd、Mo、Rh过渡金属中的一种或多种；其阳极表面不被任何钝化层覆盖； 选取恒温箱设备，根据氢气的燃点温度为400℃，设置恒温箱设备温度为20～350℃； 检查存储罐的密封情况无误后，将充有氢气的存储罐放入恒温箱中，检查恒温箱的参数设置无误后，打开电源，直到静置储存时间达到1～100天后关闭电源，取出器件，实现对其开启电压的降低。

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