西安理工大学郭仲杰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利一种用于抵抗电源和阈值扰动的电平转换电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115225077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210910240.X，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种用于抵抗电源和阈值扰动的电平转换电路是由郭仲杰;李林;张金澳;王杨乐;许睿明设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于抵抗电源和阈值扰动的电平转换电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于抵抗电源和阈值扰动的电平转换电路，包括MOS管Mn8和MOS管Mn13构成的抗干扰电路，起到抵抗电源地线信号波动对输入的干扰作用，采用栅‑源级共同接地线的方法来实现；MOS管Mn14和Mp8构成反相器用作buffer输出MOS管Mp6和MOS管Mp7组成了基于正反馈的交叉耦合锁存结构，MOS管Mn9和MOS管Mn12作为低阈值输入对管，MOS管Mn10、MOS管Mn11和DAC共同组成钳位电路，起到对两个输入对管的漏极电压的钳位保护的作用，本发明既实现了传统的电平转换电路由数字电压1.2V到模拟电压3.3V的电平转换功能，又为在恶劣环境中电源的扰动、输入对管阈值变化的情况下，提供了有效的解决方案。
本发明授权一种用于抵抗电源和阈值扰动的电平转换电路在权利要求书中公布了：1.一种用于抵抗电源和阈值扰动的电平转换电路，其特征在于，包括MOS管Mn9、MOS管Mn12、反相器、交叉耦合锁存电路和钳位电路，钳位电路用于对MOS管Mn9和MOS管Mn12的漏极电压的钳位保护，包括MOS管Mn10、MOS管Mn11和DAC转换模块，所述MOS管Mn10和MOS管Mn11的最大耐受电压大于MOS管Mn9和MOS管Mn12的最大耐受电压； 所述MOS管Mn9栅极作为电源VIN-输入端，MOS管Mn12栅极作为电源VIN+输入端，MOS管Mn9和MOS管Mn12的源级接GND，MOS管Mn9的漏极接MOS管Mn10的源级，MOS管Mn12的漏极接MOS管Mn11的源级，MOS管Mn10和MOS管Mn11的栅极接DAC转换模块的输出信号，MOS管Mn10的漏极接交叉耦合锁存电路，MOS管Mn11的漏极接交叉耦合锁存电路及反相器。
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