中国科学院上海技术物理研究所王芳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种范德瓦尔斯异质结红外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274911B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210920365.0，技术领域涉及：H10F30/24；该发明授权一种范德瓦尔斯异质结红外光电探测器及其制备方法是由王芳;代福兴;胡伟达;陈效双;陆卫设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种范德瓦尔斯异质结红外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种范德瓦尔斯异质结红外光电探测器及其制备方法，所述红外光电探测器包括：全耗尽范德华异质结；所述全耗尽范德华异质结包括从下到上依次设置的第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层。本发明通过包括第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层的三明治结构以形成全耗尽内置电场，实现在降低器件暗电流的同时提升光吸收效率，并且加快光生载流子分离速率和收集效率。
本发明授权一种范德瓦尔斯异质结红外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种范德瓦尔斯异质结红外光电探测器，其特征在于，所述红外光电探测器包括：全耗尽范德华异质结； 所述全耗尽范德华异质结包括从下到上依次设置的第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层； 所述第一n型二维半导体层和所述第二n型二维半导体层的至少一侧的边缘接触，所述p型二维半导体层至少一侧延伸出所述第一n型二维半导体层和所述第二n型二维半导体层之间的缝隙形成延伸部； 所述第一n型二维半导体层和所述第二n型二维半导体层的材料均为n型二硫化钼；所述p型二维半导体层的材料为p型黑磷； 所述第一n型二维半导体层的厚度为10±2nm，第二n型二维半导体层的厚度为20±5nm；所述p型二维半导体层的厚度为80±5nm； 所述红外光电探测器还包括：底电极、顶电极、第一自对准电极和第二自对准电极； 所述底电极设置在所述第一n型二维半导体层的下部，所述第一自对准电极设置在所述第二n型二维半导体层的上部； 所述顶电极设置在所述p型二维半导体层的延伸部的上部； 所述第二自对准电极设置在所述顶电极和或所述延伸部的上部。
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