重庆万国半导体科技有限公司秦潇峰获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆万国半导体科技有限公司申请的专利一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210973962.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法是由秦潇峰;石亮;胡玮设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法，涉及半导体器件制造领域，包括如下步骤：A、外延层的制备，具体包括提供一半导体衬底，在半导体衬底表面形成第一外延层，在第一外延层制作得到反向导电区域，在第一外延层上形成第二外延层；B、正面终端结构的制备；C、正面高密度沟槽MOSFET结构的制备；D、电路链接层和钝化层的制备；E、晶圆背面的制备。本发明不需要背面光刻工艺，节约成本，背面工艺降低了碎片风险。本发明正面结构可以实现非常高的沟槽密度，降低了晶圆翘曲的程度，实现了在大晶圆尺寸上进行高密度沟槽IGBT的生产。
本发明授权一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有反向导通特性的IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： A、外延层的制备，具体包括提供一半导体衬底，在半导体衬底表面形成第一外延层2，在第一外延层2制作得到反向导电区域201，在第一外延层2上形成第二外延层3； B、正面终端结构的制备； C、正面高密度沟槽MOSFET结构的制备； D、电路链接层和钝化层28的制备； E、晶圆背面的制备； 所述步骤E具体包括如下步骤： S25、对IGBT器件的背面半导体衬底进行减薄，直至减薄到第一外延层2； S26、通过离子注入，对IGBT器件的背面注入低能量、低剂量的三价元素或五价元素，能量范围在10-40k，剂量范围在1e12-1e13cm2激活后形成集电极29、反向导电通道291；激活后反向导电通道291的极性与集电极29的极性相反； S27、通过蒸发或者溅射的方式，对IGBT器件背面进行合金，并退火后实现欧姆接触，形成背面金属30。
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