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龙图腾网获悉温州大学申请的专利一种低功耗上电复位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211002996.0，技术领域涉及：H03K17/22；该发明授权一种低功耗上电复位电路是由李翔宇;汪鹏君;李辉;李刚设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗上电复位电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗上电复位电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、电阻调节模块、电容调节模块、反相器和缓冲器，第一PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极连接，第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极和电阻调节模块的一端连接，电阻调节模块的另一端和第二NMOS管的漏极连接，第三PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极和反相器的输入端连接，反相器的输出端、电容调节模块的另一端和缓冲器的输入端连接；优点是电路结构简单，占用芯片面积较小，功耗较低的同时，既能在较短的上电复位延时下产生复位信号，也能在较长的上电复位延时下产生复位信号。

本发明授权一种低功耗上电复位电路在权利要求书中公布了：1.一种低功耗上电复位电路，其特征在于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、电阻调节模块、电容调节模块、反相器和缓冲器，所述的电阻调节模块的电阻值能够调节，所述的电容调节模块的电容值能够调节，所述的第一PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的源极、所述的第二NMOS管的源极、所述的第三NMOS管的源极和所述的电容调节模块的一端均接地，所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极和所述的第三PMOS管的源极连接，且其连接端为所述的低功耗上电复位电路的电源端，所述的低功耗上电复位电路的电源端用于接入电源电压VCC，所述的第一PMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的栅极、所述的第二NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极连接，所述的第二PMOS管的漏极、所述的第三PMOS管的栅极和所述的电阻调节模块的一端连接，所述的电阻调节模块的另一端和所述的第二NMOS管的漏极连接，所述的第三PMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的漏极和所述的反相器的输入端连接，所述的反相器的输出端、所述的电容调节模块的另一端和所述的缓冲器的输入端连接，所述的缓冲器的输出端为所述的低功耗上电复位电路的输出端，所述的低功耗上电复位电路的输出端用于输出复位信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人温州大学，其通讯地址为：325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。