华南理工大学王文樑获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211066312.3，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用是由王文樑;李善杰;李国强设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用。本发明的N极性GaN基整流芯片的组成包括依次层叠设置的SiC衬底、低温N极性GaN缓冲层、SiN插入层、高温N极性GaN缓冲层、AlGaN势垒层、N极性GaN沟道层和钝化层，还包括欧姆接触阴极、肖特基接触阳极和T型金属电极。本发明的N极性GaN基整流芯片具有频率特性好、势垒层高度小、欧姆接触电阻低、开启电压低等优点，其可以有效提升射频前端整流效率，适合在微波能量传输、探测、通信等领域进行大规模推广应用。
本发明授权一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种N极性GaN基整流芯片，其特征在于，组成包括依次层叠设置的SiC衬底、低温N极性GaN缓冲层、SiN插入层、高温N极性GaN缓冲层、AlGaN势垒层、N极性GaN沟道层和钝化层，还包括欧姆接触阴极、肖特基接触阳极和T型金属电极；所述欧姆接触阴极和肖特基接触阳极均设置在N极性GaN沟道层远离AlGaN势垒层的一面；所述钝化层覆盖欧姆接触阴极和肖特基接触阳极；所述肖特基接触阳极呈T形，且下端穿过N极性GaN沟道层与AlGaN势垒层接触；所述欧姆接触阴极和肖特基接触阳极分别连接有T型金属电极。
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