中国科学院上海微系统与信息技术研究所武震宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139534.3，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法是由武震宇;苏泳全;刘艺晨;王栎皓设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法，采用第一腐蚀液及第二腐蚀液，分别针对锆钛酸铅薄膜中的不同组元进行两步刻蚀，各步骤之间相对独立，易于操作控制不同组元的刻蚀速率，在提高刻蚀速率的同时，保证不同组元刻蚀速率的平衡；其中，将F‑的使用全部控制在采用第一腐蚀液的第一刻蚀中，在保证刻蚀效果的同时最大限度降低由F‑带来的侧侵蚀问题和对光刻胶的消耗问题，该湿法刻蚀方法有高精度的图形转移能力，侧侵蚀比小于1:1，为锆钛酸铅薄膜在MEMS领域的使用提供了一种有效的加工方法。本发明可提供高良率和高质量的图形化锆钛酸铅薄膜，能够满足MEMS制造中对锆钛酸铅薄膜图形化的工艺要求，设备及工艺条件简单，易于产能拓展。
本发明授权一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法，其特征在于：所述锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法至少采用第一腐蚀液及第二腐蚀液以分别依次对所述锆钛酸铅薄膜进行分步腐蚀，其中，所述第一腐蚀液为包含F-及NO3 -的酸性溶液，所述第二腐蚀液为包含Cl-的酸性溶液，所述第二腐蚀液中Cl-浓度范围为20％～40％，通过所述第一腐蚀液选择性腐蚀氧化锆相和氧化钛相并打开部分Pb-O键，通过所述第二腐蚀液腐蚀剩余的Pb-O键。
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