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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利非对称融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211152590.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权非对称融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法是由刘坚;万景;蒋玉龙设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本非对称融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及非对称融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法，该动态视觉传感器像素包括：混合型衬底，氧化埋层，三个像素有源区，两个读出晶体管有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区，以及在沟道区之上的栅氧化层，栅极，两个深槽隔离侧墙，一个浅槽隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触。本发明基于单晶体管光电子原位探测器结构，在紧凑的像素架构内部可同时读出光强绝对信号和差分信号，实现了传统图像传感器光强数据和动态视觉传感器事件数据的融合，为PISD在下一代新型动态视觉传感器中的应用奠定了基础。

本发明授权非对称融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称融合视觉传感器像素结构，其特征在于，包括底部的抗反射层、以及位于抗反射层上的混合型衬底与左侧衬底，其中， 所述混合型衬底上形成有浅槽隔离侧墙和衬底欧姆接触区域，并支撑起上方的第一氧化埋层与最上层的第一顶层区域，所述第一顶层区域包括三段像素有源区、位于两相邻像素有源区之间的第一顶层沟道区，两道第一顶层沟道区的上方还分别设有主体栅极与复位栅极，所述复位栅极位于主体栅极的左侧，所述主体栅极与复位栅极分别通过其下方的栅氧化层控制对应的第一顶层沟道区的通断，所述主体栅极与复位栅极的两侧均形成保护性侧墙，在混合型衬底的左右两侧形成深槽隔离侧墙， 所述的左侧衬底支撑起上方的第二氧化埋层和最上层的第二顶层区域，所述第二顶层区域包括两段读出晶体管有源区、以及位于两读出晶体管有源区之间的第二顶层沟道区，所述第二顶层沟道区上方设有读出晶体管栅极，该读出晶体管栅极也通过其下方的栅氧化层控制第二顶层沟道区的通断，所述读出晶体管栅极的两侧也均形成保护性侧墙， 复位栅极右侧的像素有源区、读出晶体管栅极右侧的读出晶体管有源区上还分别设有源极金属接触电极，位于主体栅极右侧的像素有源区、复位栅极左侧的像素有源区、读出晶体管栅极左侧的读出晶体管有源区上则分别设有漏极金属接触电极，所述衬底欧姆接触区域上设有衬底金属接触电极，所述主体栅极、复位栅极和读出晶体管栅极上则分别设有栅极金属接触电极。

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