上海华虹宏力半导体制造有限公司张连宝获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211203938.4，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件的制造方法是由张连宝设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层，并在开口的侧壁上形成第一侧墙；通过第一刻蚀工艺在开口暴露的控制栅层中形成凹陷，以使第一侧墙的靠近开口一侧的底部与控制栅层之间出现间隙；通过第二刻蚀工艺去除开口暴露的控制栅层及其下方的层间介质层；形成填满间隙的第二侧墙；去除开口暴露的浮栅层，并在开口内形成字线；去除硬掩膜层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明在开口暴露的控制栅层中形成凹陷，使后续形成的控制栅的顶角圆滑，提高了第二侧墙的厚度均匀性，从而避免控制栅和字线之间的隔离失效，确保闪存器件的正常运行。
本发明授权闪存器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有暴露所述控制栅层的开口，所述开口的侧壁上形成有第一侧墙； 进行第一刻蚀工艺，刻蚀所述开口暴露的部分控制栅层，在所述控制栅层中形成凹陷，以使所述第一侧墙的靠近所述开口一侧的底部与所述控制栅层之间出现间隙； 进行第二刻蚀工艺，去除所述开口暴露的控制栅层以及所述开口下方的层间介质层，以使所述开口暴露所述浮栅层； 形成填满所述间隙的第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁； 去除所述开口暴露的浮栅层，以使所述开口暴露所述衬底，并在所述开口内形成字线；以及， 去除所述硬掩膜层及所述硬掩膜层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号