上海华虹宏力半导体制造有限公司张晗获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体集成器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211316331.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体集成器件及其制造方法是由张晗;金锋;杨新杰;朱兆强设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体集成器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体集成器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，在制造方法中，其通过在BCD器件中采用浅槽隔离的方式，提高BCD器件中尤其是高压器件的耐压情况。并且，本发明提供了一种可以在同一块芯片同步生产SGT分离器件和BCD功率IC器件的方法，进而避免了现有技术中需要分步分别形成所述器件之后，再将二者键合连接，而导致的二者之间的寄生Rs和Rc比较大的问题，同时也提高了SGT器件和BCD器件的性能匹配度。
本发明授权半导体集成器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成器件的制造方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括依次并排排列的SGT器件区、高压器件区和低压器件区，所述低压器件区包括PMOS区和NMOS区，所述高压器件区包括NLDMOS区和PLDMOS区，所述SGT器件区所对应的半导体衬底内形成有多个栅极沟槽、耐压槽以及覆盖在所述栅极沟槽和耐压槽的内壁的第一氧化层和至少填满所述栅极沟槽和耐压槽的源极多晶硅； 遮蔽所述SGT器件区所对应的半导体衬底，并对暴露出的所述低压器件区和高压器件区所对应的半导体衬底进行刻蚀工艺，以在所述半导体衬底内形成多个浅沟槽； 遮蔽所述低压器件区和高压器件区所对应的半导体衬底，并回刻蚀暴露出的所述SGT器件区中的所述栅极沟槽中的源极多晶硅和第一氧化层，以使回刻蚀后的源极多晶硅和第一氧化层仅覆盖在所述栅极沟槽的槽底； 在所述半导体衬底上形成隔离材料层，以使所述隔离材料层至少填满所述浅沟槽，进而形成用于隔离所述SGT器件区、低压器件区和高压器件区中各器件结构的浅沟槽隔离结构。
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