中国科学院上海微系统与信息技术研究所魏星获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115652427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211360231.4，技术领域涉及：C30B29/06；该发明授权一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法是由魏星;李名浩;戴荣旺;汪子文;薛忠营设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配，实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变，且具有高的电阻率；可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变，灵活操作，大大提高高阻硅晶体的良率。
本发明授权一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，包括如下步骤： （1）通过硅片在热处理前后电阻率的变化按照硼杂质浓度与电阻率的换算关系，计算产生的热施主浓度nTD；热施主为双施主，因此补偿的受主浓度为2nTD换算成P型电阻率ρ0；其中，所述ρ0为电阻率临界值，P型硅片最初电阻率不应超过ρ0；所述热处理温度为250-550℃，时间为0.1-8h； （2）取不同氧含量[Oi]0的硅片进行热处理实验，得到热施主浓度nTD和氧含量的关系，进而画出硅晶体中氧含量与电阻率临界值的关系曲线，根据曲线并拟合得到任意氧含量与电阻率的匹配值；其中，所述热处理温度为250-550℃，时间为0.1-8h； （3）根据氧含量与电阻率的匹配值，控制工艺参数制备衬底为P型且具备高阻及超高阻的单晶硅。
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