中国科学院上海微系统与信息技术研究所魏星获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种绝缘体上硅的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211378498.6，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种绝缘体上硅的制备方法是由魏星;汪子文;戴荣旺设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种绝缘体上硅的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种绝缘体上硅的制备方法，在p型掺杂单晶硅外延衬底上形成自下而上叠置的本征硅第一腐蚀停止层、锗硅合金第二腐蚀停止层及硅器件层，经氧化、键合、加固及研磨处理后，进行选择性腐蚀，通过p+本征硅的选择性腐蚀，将位于锗硅合金第二腐蚀停止层上的本征硅第一腐蚀停止层的厚度偏差控制在100nm以内，继而通过第二次腐蚀以及第三次腐蚀，可将最终制备的绝缘体上硅薄膜的厚度偏差优化到小于5nm，表面粗糙度小于从而实现绝缘体上硅薄膜的平坦化制备。
本发明授权一种绝缘体上硅的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供外延衬底及支撑衬底，所述外延衬底为p型掺杂单晶硅外延衬底； 于所述外延衬底上采用外延法形成自下而上叠置的第一腐蚀停止层、第二腐蚀停止层以及器件层，其中，所述第一腐蚀停止层为本征硅层，所述第二腐蚀停止层为锗硅合金层，所述器件层为硅器件层； 形成绝缘层，且结合所述绝缘层将所述器件层与所述支撑衬底键合； 对所述外延衬底进行研磨处理，预留一定厚度的所述外延衬底； 采用第一腐蚀溶液进行第一次腐蚀，去除剩余所述外延衬底； 采用第二腐蚀溶液进行第二次腐蚀，去除所述第一腐蚀停止层； 采用第三腐蚀溶液进行第三次腐蚀，去除所述第二腐蚀停止层，形成绝缘体上硅结构； 对所述绝缘体上硅结构进行牺牲氧化处理，去除部分所述器件层，并进行热处理，获得绝缘体上硅薄膜。
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