中国科学院上海微系统与信息技术研究所王家畴获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种谐振式压力传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115752818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211429039.6，技术领域涉及：G01L1/16；该发明授权一种谐振式压力传感器及其制造方法是由王家畴;李昕欣设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种谐振式压力传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种谐振式压力传感器及其制造方法，至少包括单晶硅片、腔体及通气孔、多晶硅敏感薄膜和扭转梁、摆动板、硅岛及H型谐振梁。采用多晶硅薄膜作为感压薄膜，厚度均匀可控至3μm以下，能够提高传感器的敏感度和性能的一致性；硅岛集中薄膜应力，扭转梁及摆动板放大应力后传递给H型谐振梁，增强H型谐振梁对外部应力的感知度，提升器件的灵敏度；硅岛对应于通气孔设置且尺寸大于通气孔尺寸，避免形成通气孔过程中对多晶硅敏感薄膜造成损伤，保证器件性能稳定性，提高产品良率。本发明的敏感结构采用单片单面体硅一体加工形成，无需键合，保证器件在宽温环境中性能稳定，具有尺寸小、低成本、工艺简单和可与集成电路工艺混线生产的优势。
本发明授权一种谐振式压力传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种谐振式压力传感器，其特征在于，所述谐振式压力传感器至少包括： 单晶硅片，所述单晶硅片为111单晶硅片，包括相对设置的第一表面、第二表面； 腔体，所述腔体嵌入所述单晶硅片的内部，所述腔体开设有相连通且穿过所述第二表面的通气孔； 感压模块，所述感压模块包括位于所述腔体上方的多晶硅敏感薄膜，及位于所述多晶硅敏感薄膜上方的应力传导机构与H型谐振梁，所述应力传导机构对称位于所述H型谐振梁的两端，包括对应于所述通气孔设置的硅岛、与所述硅岛平行间隔分布的扭转梁及摆动板，其中，所述H型谐振梁两端分别固支在所述扭转梁的中心位置且悬浮于所述多晶硅敏感薄膜上方，所述摆动板位于所述H型谐振梁两侧且与所述扭转梁连接； 焊盘，所述焊盘位于所述单晶硅片上，与所述H型谐振梁通过金属引线互连，以完成所述H型谐振梁的激振及拾振信号检测。
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