中国电子科技集团公司第五十五研究所经旭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种直接产生杂化纠缠光子对的布拉格反射波导及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115712220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211441472.1，技术领域涉及：G02F1/35；该发明授权一种直接产生杂化纠缠光子对的布拉格反射波导及其应用是由经旭;牛斌设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种直接产生杂化纠缠光子对的布拉格反射波导及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种直接产生杂化纠缠光子对的布拉格反射波导及其应用，通过软件仿真计算确定各层厚度与模式有效折射率，再据此制备AlGaAs布拉格反射波导。将其用于制备直接产生杂化纠缠光子对的装置，该装置包括：泵浦激光器、偏振控制器、单模透镜光纤、拉格反射波导、长通滤波器和波分复用。本发明具有纠缠光子对的产生效率高，相位匹配带宽，插入损耗低，光路结构简单紧凑，性能稳定，易于操作和控制等优点，可将激光器与非线性过程集成在一起，形成由电驱动产生纠缠光的解决方案，为量子光学芯片的集成化、小型化、规模化提供了有效的方案。
本发明授权一种直接产生杂化纠缠光子对的布拉格反射波导及其应用在权利要求书中公布了：1.一种直接产生杂化纠缠光子对的布拉格反射波导，其特征在于，通过以下步骤制得： 步骤1：设定布拉格反射波导中芯层和周期性包层的厚度猜测值，通过软件仿真计算找出当前全内反射模式TIR的有效折射率； 步骤2：将该值代入计算BRW模式有效折射率的程序中，计算得出符合布拉格反射波导理论的各层厚度值； 步骤3：再将该计算得到的各层厚度值重新输入软件仿真计算得到新的BRW模式有效折射率及全内反射模式TIR的有效折射率； 步骤4：重复步骤2和3，直至软件仿真计算得到的BRW模式有效折射率在TIR-TE模式有效折射率及TIR-TM模式有效折射率之间，且各层厚度值与计算值一致，则可确定最终设计的各层厚度与模式有效折射率； 步骤5：在PECVD生长SiO2刻蚀掩膜后，再在SiO2刻蚀掩膜表面上制作光刻胶条形波导掩膜； 步骤6：根据光刻胶掩膜通过ICP刻蚀完成SiO2刻蚀掩膜的制作，再去除光刻胶掩膜； 步骤7：根据SiO2刻蚀掩膜通过ICP刻蚀完成AlGaAs脊形波导刻蚀； 步骤8：波导端面解理，并在端面制作增透膜。
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