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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种封装结构及封装键合工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211465983.7，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权一种封装结构及封装键合工艺是由赖良坤;宋忠孝;钱旦;孟瑜;朱晓东;王永静设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装结构及封装键合工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种封装结构及封装键合工艺，属于半导体技术领域，第一电源转换芯片和第二电源转换芯片非对称设置于上双面覆铜基板和下双面覆铜基板内侧，第一电源转换芯片和第二电源转换芯片的集电极分别与上双面覆铜基板和下双面覆铜基板的内表面焊接，栅极分别与下双面覆铜基板和上双面覆铜基板内表面焊接。铜夹上端上表面和下表面分别与第一电源转换芯片和第二电源转换芯片的发射极焊接，下端与下双面覆铜基板内表面焊接；上引脚和下引脚分别与上双面覆铜基板和下双面覆铜基板内表面焊接，上引脚与第一电源转换芯片的集电极、发射极和栅极电连接；下引脚与第二电源转换芯片的集电极、发射极和栅极电连接。

本发明授权一种封装结构及封装键合工艺在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 相对设置的上双面覆铜基板（1）和下双面覆铜基板（2）； 第一电源转换芯片（3）和第二电源转换芯片（4），非对称设置于所述上双面覆铜基板（1）和下双面覆铜基板（2）内侧，所述第一电源转换芯片（3）和第二电源转换芯片（4）的集电极（5）分别与所述上双面覆铜基板（1）和下双面覆铜基板（2）的内表面焊接；所述第一电源转换芯片（3）和第二电源转换芯片（4）的栅极（6）分别通过第一垫块（7）和第二垫块（8）与所述下双面覆铜基板（2）和上双面覆铜基板（1）内表面焊接； 铜夹（9），其上端上表面和下表面分别与所述第一电源转换芯片（3）和第二电源转换芯片（4）的发射极（10）焊接，下端与所述下双面覆铜基板（2）内表面焊接； 上引脚（11）和下引脚（12），分别与所述上双面覆铜基板（1）和下双面覆铜基板（2）内表面焊接，所述上引脚（11）通过上双面覆铜基板（1）的电路与所述第一电源转换芯片（3）的集电极（5）、发射极（10）和栅极（6）电连接；所述下引脚（12）通过下双面覆铜基板（2）的电路与所述第二电源转换芯片（4）的集电极（5）、发射极（10）和栅极（6）电连接。

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