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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211477284.4，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备是由朱友勤设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备，其中电致发光器件包括层叠的电子传输层、钙钛矿量子点发光层和空穴传输层；所述钙钛矿量子点发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层包括与空穴传输层材料交联的交联剂。利用交联剂与空穴传输层的交联，使空穴传输层既可以收集和传输空穴，又可以作为钙钛矿量子点发光层图案化过程中的掩膜使用，避免了光刻胶作为掩膜时在钙钛矿量子点发光层上产生的残留，能够提高载流子的注入效率和显示效果。

本发明授权电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备在权利要求书中公布了：1.一种电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基板； 在所述基板上形成电子传输层； 在所述电子传输层上形成钙钛矿量子点发光层和空穴传输层；所述钙钛矿量子点发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层包括与空穴传输层材料交联的交联剂。 所述电致发光器件包括第一像素区、第二像素区和第三像素区；所述钙钛矿量子点发光层包括位于所述第一像素区的MAPbIxBr3-x量子点、位于所述第二像素区的MAPbBr3量子点和位于所述第三像素区的MAPbClxBr3-x量子点； 所述在所述电子传输层上形成钙钛矿量子点发光层和空穴传输层，包括： 在所述第一像素区内形成所述MAPbIxBr3-x量子点和层叠在所述MAPbIxBr3-x量子点上的第一空穴传输层； 在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二空穴传输层； 在所述第三像素区内形成所述MAPbClxBr3-x量子点和层叠在所述MAPbClxBr3-x量子点上的第三空穴传输层； 所述在所述第一像素区内形成所述MAPbIxBr3-x量子点和层叠在所述MAPbIxBr3-x量子点上的第一空穴传输层，包括： 在所述电子传输层上涂布MAPbIxBr3-x量子点； 在所述MAPbIxBr3-x量子点上涂布第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料含有光敏交联剂； 曝光位于所述第一像素区内的所述第一空穴传输材料，然后使用正交溶剂对所述第一空穴传输材料进行显影处理，以使位于所述第二像素区和所述第三像素区的所述第一空穴传输材料溶解，获得位于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的MAPbIxBr3-x量子点，以及位于所述第一像素区并层叠在所述MAPbIxBr3-x量子点上的第一空穴传输层； 所述在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二空穴传输层，包括： 采用四丁基溴化胺溶液浸泡所述MAPbIxBr3-x量子点，以使未被所述第一空穴传输层层叠的所述MAPbIxBr3-x量子点与所述四丁基溴化胺溶液进行卤素交换，获得位于所述第二像素区和所述第三像素区的MAPbBr3量子点； 在所述MAPbBr3量子点上涂布第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料含有光敏交联剂； 曝光位于所述第二像素区内的所述第二空穴传输材料，然后使用正交溶剂对所述第二空穴传输材料进行显影处理，以使位于所述第三像素区的所述第二空穴传输材料溶解，获得位于所述第二像素区并层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二空穴传输层。

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