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龙图腾网获悉普乐新能源科技(泰兴)有限公司申请的专利一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115838915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211481354.3，技术领域涉及：C23C16/02；该发明授权一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺是由欧文凯;董思敏;向亮睿设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺，属于单晶硅太阳能电池技术领域。包括以下步骤：步骤一，硅基底预处理；步骤二，缓冲层的形成；步骤三，高折层的形成；步骤四，中间层的生成；步骤五，最外层的生成。本发明在常规氮化硅减反射钝化膜的多层膜或无限渐变膜与基体之间，插入一层极薄低折氮化硅缓冲层，低管压低射频功率下生长的较薄的氮化硅缓冲层，满足表面轰击损伤小，H钝化效果好，又兼顾不影响光学特性的优点，起到加强H钝化基体的作用，减少了复合中心的数量，提高了少子寿命。

本发明授权一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，硅基底预处理：将硅基底插在载具上，送至炉管内；设定炉管内温度为400~550℃，恒温150~210s；对炉管内进行抽真空和检漏处理； 步骤二，缓冲层的形成：向炉管内通入特气并保持炉管内压力和特气流量，炉管内压力为1450~1700mTorr；打开射频淀积缓冲层，射频功率在7000~11000W，淀积时间为40~100s；向炉管内通入特气成分至少包括：SiH4、NH3；SiH4、NH3二者的流量比为1：（10~12）； 步骤三，高折层的形成：调整特气流量得到沉积高折层所需压力，炉管内压力为1700~2000mTorr；打开射频淀积高折层，射频功率在11000~15000W，淀积时间为100~200s；SiH4、NH3二者的流量比为1：（4~6）； 步骤四，中间层的生成：调整特气流量得到沉积中间层所需压力，炉管内压力为1700~2000mTorr；打开射频淀积高折层，射频功率在11000~16000W，淀积时间为100~200s；SiH4、NH3二者的流量比为1：（7~9）； 步骤五，最外层的生成：调整特气流量得到沉积最外层所需压力，炉管内压力为1800~2100mTorr；打开射频淀积最外层，射频功率在11000~16000W，淀积时间为400~560s；SiH4、NH3二者的流量比为1：（9~10）。

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