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龙图腾网获悉重庆兆光科技股份有限公司申请的专利一种三维集成电路堆叠结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211599489.X，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种三维集成电路堆叠结构及其制备方法是由朱智源;王骏豪;彭德光设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维集成电路堆叠结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维集成电路堆叠结构及其制备方法，该制备方法包括：提供多个晶圆封装体，所述多个晶体封装体通过同侧电极相对设置形成两两相接的堆叠结构，所述堆叠结构中两个相邻晶圆封装体之间通过钝化层进行临时键合，使得所述两个相邻晶圆封装体同侧电极相互对齐；加热分解所述钝化层将所述堆叠结构中的各晶圆封装体进行永久键合，以使所述堆叠结构中各晶圆封装体之间通过各自电极形成贯通所述堆叠结构的信号通路，完成器件堆叠结构制作。本申请可有效简化生产流程来提高生产效率和降低生产成本。

本发明授权一种三维集成电路堆叠结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维集成电路堆叠结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供多个晶圆封装体，所述多个晶圆封装体通过同侧电极相对设置形成两两相接的堆叠结构，所述堆叠结构中两个相邻晶圆封装体之间通过钝化层进行临时键合，使得所述两个相邻晶圆封装体同侧电极相互对齐；所述晶圆封装体包括：衬底；微型电路封装层，设置于所述衬底一侧；金属互连层，设置于所述微型电路封装层背离所述衬底的一侧，所述金属互连层背离所述衬底的一侧设置有第一电极；微凸点结构，设置于所述衬底背离所述微型电路封装层的一侧，所述微凸点结构和所述第一电极作为所述晶圆封装体的电极；通孔，用于连通所述微凸点结构和所述金属互连层的第一电极；提供多个晶圆封装体，所述多个晶圆封装体通过同侧电极相对设置形成两两相接的堆叠结构，包括：选择一个晶圆封装体作为初始封装体； 在所述初始封装体的金属互连层表面涂覆一层临时键合胶，形成所述钝化层；在所述钝化层背离所述初始封装体的金属互连层的一侧制作另一晶圆封装体的金属互连层、微型电路封装层、衬底和通孔；对所述另一晶圆封装体的衬底进行减薄后，制作对应的微凸点结构，得到第二晶圆封装体；在所述第二晶圆封装体的微凸点结构表面涂覆一层临时键合胶，形成钝化层，在所述钝化层的基础上形成新的晶圆封装体，重复前述步骤形成所述堆叠结构； 加热分解所述钝化层将所述堆叠结构中的各晶圆封装体进行永久键合，以使所述堆叠结构中各晶圆封装体之间通过各自电极形成贯通所述堆叠结构的信号通路，完成器件堆叠结构制作。

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