西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司李安杰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利用于线切割硅棒的方法、设备及硅片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115946251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211601961.9，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权用于线切割硅棒的方法、设备及硅片是由李安杰;李旭;张婉婉;衡鹏;徐鹏设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于线切割硅棒的方法、设备及硅片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了用于线切割硅棒的方法、设备及硅片，所述方法包括：采用第一线切割工艺参数组线切割第一硅棒以获得多个样本硅片；获得所述样本硅片上的线切割线痕的起伏角度；基于所述起伏角度判断是否存在所述线切割线痕从高效切割面向低效切割面的偏移趋势；基于判断结果，根据所述起伏角度的大小，调整所述第一线切割工艺参数组中的一个或更多个线切割工艺参数以形成第二线切割工艺参数组；采用所述第二线切割工艺参数组线切割第二硅棒。
本发明授权用于线切割硅棒的方法、设备及硅片在权利要求书中公布了：1.一种用于线切割硅棒的方法，其特征在于，所述方法包括： 采用第一线切割工艺参数组线切割第一硅棒以获得多个样本硅片； 获得所述样本硅片上的线切割线痕的起伏角度； 基于所述起伏角度判断是否存在所述线切割线痕从高效切割面向低效切割面的偏移趋势； 基于判断结果，根据所述起伏角度的大小，调整所述第一线切割工艺参数组中的一个或更多个线切割工艺参数以形成第二线切割工艺参数组； 采用所述第二线切割工艺参数组线切割第二硅棒； 其中，所述获得所述样本硅片上的线切割线痕的起伏角度包括： 将所述样本硅片的一部分表面抛光至设定角度的倾斜镜面； 利用显微镜在所述样本硅片的表面的未抛光部分与已抛光部分之间的分界处测量所述线切割线痕的所述起伏角度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，其通讯地址为：710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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