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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于ESD防护的双向低电容NPN器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211639838.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种用于ESD防护的双向低电容NPN器件是由齐钊;魏敬奇;乔明;陈泓全;张波设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于ESD防护的双向低电容NPN器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于ESD防护的双向低电容NPN器件，包括：n+型衬底、n型埋层、第一p型埋层、第二p型埋层、第一n型外延层、第二n型外延层、第三n型外延层、第四n型外延层、第五n型外延层、p型阱区、齐纳注入的p型阱区、金属钨塞区、第一N+接触区、第二N+接触区、第三N+接触区、P+区、第一隔离区、第二隔离区、第三隔离区、第四隔离区、第五隔离区；本发明通过引入金属钨塞区、p型埋层和垂直结构的二极管，实现了器件的双向低电容特性，完美结合了垂直器件高电流效率与横向器件高度可集成的优势，能够实现多种双向、单向、阵列等单片防护结构。

本发明授权一种用于ESD防护的双向低电容NPN器件在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD防护的双向低电容NPN器件，其特征在于包括：n+型衬底01，在n+型衬底01上外延的n型外延层被五个隔离区以及一个相同深度的金属钨塞区05分为五个部分，所述五个隔离区以及一个金属钨塞区05都从器件表面贯穿n型外延层后底部到达n+型衬底01内部，划分的五个部分从左到右依次为：第一n型外延层21、第二n型外延层22、第三n型外延层23、第四n型外延层24、第五n型外延层25；其中第一隔离区51位于器件最左端；第二隔离区52位于第一n型外延层21和第二n型外延层22之间；第三隔离区53位于第二n型外延层22和第三n型外延层23之间；金属钨塞区05位于第三n型外延层23和第四n型外延层24之间；第四隔离区54位于第四n型外延层24和第五n型外延层25之间；第五隔离区55位于器件最右端； 在n+型衬底01上且处于第一隔离区51和第二隔离区52之间的第一n型外延层21下方存在外延n型外延层之前注入的n型埋层11；在n+型衬底01上且处于第二隔离区52和第三隔离区53之间的第二n型外延层22下方存在外延n型外延层之前注入的第一p型埋层121；在n+型衬底01上且处于第三隔离区53和金属钨塞区05之间的第三n型外延层23下方存在外延n型外延层之前注入的第二p型埋层122； 还包括在第一n型外延层21上方注入的p型阱区03；在p型阱区03表面注入的P+区41；在第二n型外延层22表面注入的第一N+接触区31； 第一N+接触区31与P+区41表面用金属短接，构成器件的第一输入或输出端口61；此外，第三隔离区53与其两侧的第一p型埋层121、第二p型埋层122接触部分是掏空的，掏空部分依旧为p型埋层，使得其两侧的p型埋层相连成为一个整体； 第四隔离区54右侧为NPN结构。

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