中国科学院微电子研究所;合肥国家实验室张毅文获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;合肥国家实验室申请的专利一种量子阱结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211682258.5，技术领域涉及：H10N52/80；该发明授权一种量子阱结构及其制造方法是由张毅文;孔真真;王桂磊;刘靖雄;任宇辉;吴振华设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子阱结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种量子阱结构及其制造方法，包括衬底，在衬底上依次层叠第一势垒层、第一量子阱层、第二量子阱层、第二势垒层、顶栅，位于衬底上且与第一势垒层接触的底栅，位于第一量子阱层和第二量子阱层的第一侧侧壁的铝层，还包括位于第一量子阱层和第二量子阱层的第二侧侧壁的第一电极，位于第二量子阱层的第三侧侧壁的第二电极，第二侧侧壁和第三侧侧壁分别与第一侧侧壁相邻。通过量子阱层之间的耦合产生处于玻色‑爱因斯坦凝聚下的超流体相，由于在量子阱的侧壁上设置有铝层实现了将超流体相与超导引线耦合保证了耦合界面清晰，创造出了研究分数量子霍尔效应和超导‑超流体混合量子计算技术的高质量、界面清晰的量子阱结构。
本发明授权一种量子阱结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种量子阱结构，其特征在于，包括： 衬底； 所述衬底上依次层叠的第一势垒层、第一量子阱层、第二量子阱层、第二势垒层、顶栅； 位于所述衬底上且与所述第一势垒层接触的底栅； 位于所述第一量子阱层和所述第二量子阱层的第一侧侧壁的铝层； 位于所述第一量子阱层和所述第二量子阱层的第二侧侧壁的第一电极，以及位于所述第二量子阱层的第三侧侧壁的第二电极，所述第二侧侧壁和所述第三侧侧壁分别与所述第一侧侧壁相邻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;合肥国家实验室，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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