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龙图腾网获悉西南技术物理研究所申请的专利铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116014029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211690411.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法是由代千;李宛励;袁菲;谢修敏;刘绍斌;梁丕刚;舒域鑫;陈庆敏;孔繁林;路小龙;梁晨宇;袁鎏;郑博仁;柯尊贵;郭雨航;李潇;宋海智设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的iInP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。

本发明授权铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 第一步、采用金属有机化合物化学气相沉积MOCVD异质外延生长工艺，在n+InP衬底1上，依次外延n+InP缓冲层2、iInGaAs吸收层3、iInGaAsP过渡层4、n+InP电荷层5、iInP顶层6； 第二步、采用光刻结合选区掺杂工艺，通过两次扩散在iInP顶层6上制备凸PN结高浓度扩散区7； 第三步、采用光刻结合选区掺杂工艺，通过低温扩散在iInP顶层6上制备与凸PN结高浓度扩散区7相对应的Zn掺杂自淬灭环8结构； 第四步、采用等离子增强化学气相沉积PECVD钝化工艺，制备SiNx钝化层，覆盖于iInP顶层6上，留出电学连接通道便于与凸PN结高浓度扩散区7和Zn掺杂自淬灭环8与电极连接； 第五步、采用磁控溅射金属膜沉积工艺，制备p电极10，并与凸PN结高浓度扩散区7和Zn掺杂自淬灭环8形成欧姆接触； 第六步、采用磁控溅射金属膜沉积工艺，制备电极焊盘11，使得盖革雪崩二极管的p电极10与电极焊盘11之间通过Zn掺杂自淬灭环8结构连接起来，作为一个盖革雪崩二极管p输出端的串联电阻； 第七步、采用电子束蒸发金属膜沉积、PECVD钝化膜沉积、ICP增透膜沉积工艺，在芯片背面制备与凸PN结高浓度扩散区7的位置对应的进光孔。

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