中国科学院上海微系统与信息技术研究所姜海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310072253.9，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法是由姜海涛;狄增峰;张苗;田子傲;薛忠营设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法，包括：石墨烯生长、旋涂两种光刻胶、沉积铝和金、Lift‑off、自然氧化、沉积金形成自对准结构、旋涂转移胶、贴附过渡衬底、机械剥离伴随铝的自氧化、贴附目标衬底、范德华键合、解离清洗。本发明先在衬底上完成器件结构的预制备，然后整体剥离并转移至目标衬底上。全程对目标衬底未造成任何污染和损伤，大幅提高器件的电学性能。而且该方法与半导体工艺兼容，适于规模化应用。
本发明授权一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法，包括如下步骤： 提供一衬底； 生长石墨烯层于所述衬底的上表面； 旋涂两种对光敏感特性不同的光刻胶于所述石墨烯层的上表面； 对所述两种光刻胶进行光刻，形成图形； 沉积铝和金于所述图形的上表面； 进行Lift-off操作，去除两种光刻胶； 在空气气氛下，所述铝表面自然氧化为一层氧化铝介质层； 继续沉积金，形成自对准结构； 在上述自对准结构表面旋涂转移胶； 在真空环境下，在所述转移胶上贴附过渡刚性衬底， 通过机械剥离将所述过渡刚性衬底与所述衬底剥离，此时所述自对准结构、转移胶形成的叠层结构从所述衬底剥离； 在真空环境下，将所述叠层结构与已完成沟道材料预图形化的目标衬底完成范德华键合； 通过解键合，将所述过渡临时刚性衬底分离； 清洗，去除所述转移胶，得到具有自对准结构的射频晶体管。
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