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龙图腾网获悉浙大城市学院申请的专利碳化硅异质外延功率集成电路工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310092236.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权碳化硅异质外延功率集成电路工艺方法是由王珏;王紫石;刘立;盛况设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅异质外延功率集成电路工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅异质外延功率集成电路工艺方法，包括：将碳化硅高压LDMOS和硅低压CMOS集成在同一片碳化硅衬底之上。该工艺方法得到的器件结构中，高压LDMOS和低压CMOS由隔离槽进行隔离，高压LDMOS结构于碳化硅N‑外延层当中形成，而低压CMOS于碳化硅N‑外延层之上的硅P‑外延层当中形成。本发明的有益效果是：本发明将碳化硅高压LDMOS和硅低压CMOS集成在同一片衬底之上，可以减小由多个封装引起的寄生参数，并且热稳定性较高，碳化硅高压LDMOS的沟道迁移率较好。

本发明授权碳化硅异质外延功率集成电路工艺方法在权利要求书中公布了：1.碳化硅异质外延功率集成电路工艺方法，其特征在于，包括： S1、提供碳化硅N型衬底，并在所述碳化硅N型衬底上形成碳化硅N型外延； S2、采用离子注入工艺在所述碳化硅N型外延当中形成碳化硅LDMOS的P阱、体区、源区和漏区； S3、采用外延生长工艺在所述碳化硅N型外延表面生长硅P型外延；所述硅P型外延分为碳化硅LDMOS部分硅P型外延和硅CMOS部分硅P型外延； S4、刻蚀碳化硅LDMOS部分硅P型外延，保留一层薄硅膜； S5、采用离子注入工艺在硅CMOS部分硅P型外延形成硅CMOS的N阱、体区、源区和漏区；硅CMOS包括NMOS和PMOS，形成NMOS的过程为形成NMOS的体区、源区和漏区，形成PMOS的过程为：先在硅P型外延中形成N阱，然后在N阱中形成PMOS的体区、源区和漏区； S6、采用热氧化工艺氧化所述薄硅膜和所述硅CMOS部分硅P型外延，作为碳化硅LDMOS以及硅CMOS器件的栅极氧化层； S7、在碳化硅LDMOS的栅极氧化层靠近硅CMOS部分硅P型外延的一端和下方的N型外延进行刻蚀，形成隔离槽，并在所述隔离槽中填充绝缘物； S8、将LPCVD淀积原位掺杂的多晶硅作为碳化硅LDMOS以及硅CMOS器件的栅极； S9、在碳化硅LDMOS以及硅CMOS的有源区之上形成欧姆接触，所述有源区包括体区、源区和漏区。

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