索罗半导体(深圳)有限公司方圆获国家专利权
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龙图腾网获悉索罗半导体(深圳)有限公司申请的专利一种对称高压MOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310115651.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种对称高压MOS器件及其制作方法是由方圆设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种对称高压MOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种对称高压MOS器件，涉及半导体技术领域，包括基层结构，基层结构顶面覆盖有第一Si3N4钝化层，第一Si3N4钝化层上覆盖有第二Si3N4钝化层，基层结构顶面左侧和右侧分别设置有穿出第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层源极金属和漏极金属；其中，第一Si3N4钝化层中央刻蚀有栅槽，源极金属和漏极金属关于栅槽对称设置，栅槽内淀积有Al2O3介质，Al2O3介质顶部延伸至第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间，Al2O3介质顶部中央插入有栅极金属，栅极金属顶部延伸至第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间并包裹住Al2O3介质；还公开了一种对称高压MOS器件的制作方法。本发明具有安全稳定、可靠性强和使用寿命长的优点。
本发明授权一种对称高压MOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种对称高压MOS器件，其特征在于，包括基层结构，所述基层结构顶面覆盖有第一Si3N4钝化层，所述第一Si3N4钝化层上覆盖有第二Si3N4钝化层，所述基层结构顶面左侧和右侧分别设置有穿出所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层的源极金属和漏极金属；其中， 所述第一Si3N4钝化层中央刻蚀有栅槽，所述源极金属和漏极金属关于所述栅槽对称设置，所述栅槽内淀积有Al2O3介质，所述Al2O3介质顶部延伸至所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间，所述Al2O3介质顶部中央插入有栅极金属，所述栅极金属顶部延伸至所述第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层之间并包裹住所述Al2O3介质。
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