贵州大学梁永超获国家专利权
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龙图腾网获悉贵州大学申请的专利一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116124587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310137029.3，技术领域涉及：G01N3/08；该发明授权一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法是由梁永超;杨超;周宇设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法，制备四组非晶态高熵合金模型；将四组非晶态高熵合金模型分别弛豫200ps；分别挖取不同半径的孔洞，得到含不同孔洞大小的四组非晶材料模型；将4种含孔非晶模型在NVT条件下沿y轴进行拉伸，拉伸速率为1×109s‑1，温度控制在300K，得到应力应变曲线，根据应力应变曲线确定强度与塑性最优的含孔非晶模型后续模拟加工；根据强度与塑性最优的含孔非晶模型制备得到晶体层厚度不同的四组复合材料模型分别进行拉伸得到拉伸所得的应力应变曲线；解决了实验上很难从原子尺度观察到晶态和非晶态复合材料不同晶体层厚度下剪切过程中微观结构的变形机制等技术问题。
本发明授权一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种孔洞状态下控制晶体层厚度提升材料强度的模拟方法，其特征在于：所述方法包括： 步骤1、制备四组非晶态高熵合金模型； 步骤2、将四组非晶态高熵合金模型分别弛豫200ps；然后在四组模型内部分别挖取不同半径的孔洞，孔洞的半径分别设置为CoNiCrFeMn晶格常数的倍数：0nm、以及得到含不同孔洞大小的四组非晶材料模型； 步骤3、将4种含孔非晶模型在NVT条件下沿y轴进行拉伸，拉伸速率为1×109s-1，温度控制在300K，并且xyz三个方向均设置为周期性边界条件，得到应力应变曲线，根据应力应变曲线确定强度与塑性最优的含孔非晶模型后续模拟加工； 步骤4、根据强度与塑性最合适的含孔非晶模型制备含孔的晶体和非晶复合材料模型；分别得到晶体层厚度为和的四组复合材料模型； 步骤5、对四组复合材料模型分别进行拉伸，拉伸过程中在xyz方向施加周期性边界条件，拉伸速率为1×109s-1，拉伸方向为y轴；得到拉伸所得的应力应变曲线。
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