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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种电容加载型基片集成波导均衡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116417765B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310175831.1，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权一种电容加载型基片集成波导均衡器是由彭浩;张臣;杨洋;刘宇;周翼鸿;杨涛设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容加载型基片集成波导均衡器在说明书摘要公布了：本发明涉及微波毫米波技术领域，具体为一种电容加载型的基片集成波导均衡器。包括SIW本体、渐变过渡线、50Ω微带线、陶瓷基板和绝缘压块。所述SIW本体长边单侧设有1个贯通了SIW本体表面金属层的槽。陶瓷基板设在槽的上方；其中心点与槽的中心点在该槽的垂直方向上对齐，陶瓷基板的顶面或底面设有面电阻层，并能完全覆盖住槽；绝缘压块放置在陶瓷基板上，通过绝缘压块使陶瓷基片和SIW本体紧密接触，使陶瓷基片与SIW的金属层之间形成等效电容，相当于在陶瓷基片原有的损耗面电阻上又叠加了一部分容抗特性。等效电容的引入使得低频端26GHz的损耗大于高频端40GHz的损耗，从而进一步提高了均衡量。

本发明授权一种电容加载型基片集成波导均衡器在权利要求书中公布了：1.一种等效电容加载的基片集成波导均衡器，包括SIW本体、渐变过渡线、50Ω微带线、陶瓷基片和用于固定陶瓷基片的绝缘压块；SIW本体的两端各通过一段渐变过渡线与50Ω微带线相连，其特征在于： 所述SIW本体宽边中心连线的两侧各设置有四排金属化通孔，两侧最靠近宽边中心连线的两排金属化通孔的孔心距均为Ws，长边单侧相邻两排金属化通孔的孔心距为d，SIW本体长边长为Ls，渐变过渡线位于SIW本体宽边正中部分，其长度为Lt，渐变线与SIW本体宽边的衔接边长度为Wt，与50Ω微带线连接的一端宽度为W；所述金属化通孔直径为dvp，SIW本体长边单侧相邻两个金属化通孔的孔心距为svp，50Ω微带线宽度为W； 所述SIW本体长边单侧开设有1个贯通了SIW本体表面金属层的槽；槽位于靠近SIW本体宽边的中心连线位置，槽的上方设有陶瓷基片；陶瓷基片中心点与槽的中心点在该槽的垂直方向上对齐；陶瓷基片的顶面或底面设有面电阻层，其尺寸略大于槽，使其能完全覆盖住槽； 所述绝缘压块放置在陶瓷基片上，以使陶瓷基片和SIW本体紧密接触。

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