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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利非挥发性存储器的擦除方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116343881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310257978.5，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权非挥发性存储器的擦除方法和装置是由汪齐方设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本非挥发性存储器的擦除方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非挥发性存储器的擦除方法，包括：步骤一、对选定擦除块进行预验证和预编程。步骤二、记录完成步骤一的第一流程时间。步骤三、完成擦除过程步骤。步骤四、根据第一流程时间动态设定修复区间，第一流程时间越长修复区间越小，反之亦然。步骤五、对修复区间中受擦除干扰区域内的各存储单元进行修复，完成修复操作的时间为第二修复时间，第一流程时间和第二修复时间的和为第三时间。步骤六、擦除流程结束，完成擦除流程的时间为第四流程时间。修复区间的动态设置使第三时间的变化范围减少并从而使第四流程时间的变化范围减少。本发明还提供一种非挥发性存储器的擦除装置。本发明能减少擦除时间的变化范围，提高存储单元的可靠性。

本发明授权非挥发性存储器的擦除方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于，非挥发性存储器的存储阵列中包括多个区块，各所述区块包括多个擦除块，对一个选定区块中的选定擦除块的擦除流程包括如下步骤： 步骤一、对所述选定擦除块进行预验证和预编程； 步骤二、记录完成步骤一的第一流程时间，所述第一流程时间由所述选定擦除块中存储的原始数据决定； 步骤三、完成擦除过程步骤，所述擦除过程步骤包括一次以上的擦除循环步骤，各所述擦除循环步骤中实现对所述选定擦除块的一次擦除操作； 步骤四、根据所述第一流程时间在所述选定区块中动态设定修复区间，所述第一流程时间越长所述修复区间越小，所述第一流程时间越短所述修复区间越大； 步骤五、进行修复操作，用于对所述修复区间中受擦除干扰区域内的各存储单元进行修复，完成所述修复操作的时间为第二修复时间，所述修复区间越小所述第二修复时间越长，所述修复区间越大所述第二修复时间越短；所述第一流程时间和所述第二修复时间的和为第三时间； 步骤六、所述擦除流程结束，完成整个所述擦除流程的时间为第四流程时间； 所述选定擦除块中存储的所述原始数据不同时，所述第四流程时间不同，所述第四流程时间的变化范围由所述第三时间确定；所述选定擦除块中存储的所述原始数据不同时，步骤四中动态设置的所述修复区间使所述第三时间的变化范围减少并从而使所述第四流程时间的变化范围减少。

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