本源科仪(成都)科技有限公司李舒啸获国家专利权
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龙图腾网获悉本源科仪(成都)科技有限公司申请的专利芯片版图沉积结构的三维建模方法、系统、介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116341469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310319078.9，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权芯片版图沉积结构的三维建模方法、系统、介质及设备是由李舒啸设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片版图沉积结构的三维建模方法、系统、介质及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片版图沉积结构的三维建模方法、系统、介质及设备。该方法包括：确定芯片版图的建模区域，并获取芯片版图上位于建模区域内部分重叠的第一图形和第二图形，第一图形和第二图形用于定义出沉积的形状；确定第二图形与第一图形的重叠区域和非重叠区域；在三维空间中确定基准面，在基准面上以第一图形为底面构建第一厚度的第一图块；在基准面上以第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据第二图形在建模区域内的位置将第二图块对应重叠区域的部分放置于第一图块上、对应非重叠区域的部分放置于基准面上。本发明解决现有技术中二维版图不能满足三维尺度分析的问题，能够将二维版图转换为三维模型，便于直观地进行三维尺度分析。
本发明授权芯片版图沉积结构的三维建模方法、系统、介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片版图沉积结构的三维建模方法，其特征在于，包括： 确定芯片版图的建模区域，并获取所述芯片版图上位于所述建模区域内部分重叠的第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形用于定义出沉积的形状； 确定所述第二图形与所述第一图形的重叠区域和非重叠区域； 在三维空间中确定基准面，在所述基准面上以所述第一图形为底面构建第一厚度的第一图块； 在所述基准面上以所述第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据所述第二图形在建模区域内的位置将所述第二图块对应所述重叠区域的部分放置于所述第一图块上、对应所述非重叠区域的部分放置于所述基准面上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人本源科仪(成都)科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市天府新区华阳街道天府大道南段2039号创客公馆21栋104室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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