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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116482881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310400677.3，技术领域涉及：G02F1/017；该发明授权一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器是由孙军强;江佩璘设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器，包括衬底层、缓冲层、下隔离层、耦合量子阱区、上隔离层、盖帽层和N电极，绝缘介质层、右侧P电极、左侧P电极，还包括两个刻蚀窗口、脊形波导结构和悬空微桥结构，其中，衬底层具有悬空区域；耦合量子阱区包括多对五层耦合量子阱；两个刻蚀窗口对于脊形波导结构呈轴对称分布，两个刻蚀窗口之间的缓冲层、脊形波导结构、N电极、右侧P电极和左侧P电极形成悬空微桥结构。综上，本发明能够将量子阱区光吸收带边及电致折射率变化峰值移动至主流光通信C波段处，同时实现更大的电致折射率变化，使得电致折射率调制器调制效率更高且更具有实用性。

本发明授权一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器，其包括自下而上依次设置的衬底层101、缓冲层102、下隔离层103、耦合量子阱区104、上隔离层105、盖帽层106和N电极108，还包括绝缘介质层107、右侧P电极109、左侧P电极110，其中，所述缓冲层102、下隔离层103、耦合量子阱区104、上隔离层105和盖帽层106的外周包覆绝缘介质层107；所述N电极108穿透绝缘介质层107后，与盖帽层106电学接触；所述右侧P电极109和左侧P电极110均穿透绝缘介质层107后，与缓冲层102电学接触；其特征在于：还包括两个刻蚀窗口111、脊形波导结构112、悬空微桥结构113和悬空区域114，其中， 所述缓冲层102上刻蚀形成刻蚀窗口111，刻蚀窗口111刻蚀至下方衬底层101； 所述衬底层101通过刻蚀窗口111刻蚀形成悬空区域114； 所述耦合量子阱区104包括多对五层耦合量子阱； 所述下隔离层103、耦合量子阱区104、上隔离层105、盖帽层106以及部分缓冲层102刻蚀形成脊形波导结构112； 两个刻蚀窗口111对于脊形波导结构112呈轴对称分布，两个刻蚀窗口111之间的缓冲层102、脊形波导结构112、N电极108、右侧P电极109和左侧P电极110形成悬空微桥结构113。

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