东北师范大学汤庆鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉东北师范大学申请的专利一种与柔弹性材料相兼容的高精度无损光刻有机场效应晶体管的功能层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118401075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310872478.2，技术领域涉及：H10K71/20；该发明授权一种与柔弹性材料相兼容的高精度无损光刻有机场效应晶体管的功能层的方法是由汤庆鑫;赵晓丽;童艳红;倪艳萍设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种与柔弹性材料相兼容的高精度无损光刻有机场效应晶体管的功能层的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种与柔弹性材料相兼容的高精度无损光刻有机场效应晶体管的功能层的方法。所述方法包括如下步骤：在衬底表面沉积有机场效应晶体管的功能层，在功能层上制备耐水保护层，或耐水保护层与溶剂保护层的双层保护层；在耐溶剂保护层或双层保护层上旋涂光刻胶进行光刻，形成图案化的光刻胶薄膜；对衬底进行刻蚀；将衬底依次进行后处理，以除去图案化的光刻胶薄膜、耐水保护层和耐溶剂保护层即得。本发明方法工艺简单，具有普适性，不仅可以光刻有机半导体层，还可以光刻有机绝缘层、聚合物电极层，一种光刻方法就可以实现对有机场效应晶体管的各个功能层的全部光刻图案化。
本发明授权一种与柔弹性材料相兼容的高精度无损光刻有机场效应晶体管的功能层的方法在权利要求书中公布了：1.一种有机场效应晶体管的功能层的图案化方法，包括如下步骤： S1、在衬底表面沉积有机场效应晶体管的功能层，所述功能层为有机半导体层、有机绝缘层或聚合物电极层； S2、在所述功能层上依次制备耐溶剂保护层与耐水保护层的双层保护层； 所述耐溶剂保护层的材质为聚乙烯醇或葡聚糖； 所述耐水保护层的材质为聚并二噻吩-吡咯并吡咯二酮或引达省-苯并噻二唑； S3、在所述双层保护层上旋涂光刻胶进行光刻，形成图案化的光刻胶薄膜； S4、对经步骤S3处理后的所述衬底进行刻蚀，以除去未被光刻胶覆盖的所述耐水保护层、所述耐溶剂保护层以及所述功能层； S5、将经步骤S4处理后的所述衬底依次进行后处理，以除去所述图案化的光刻胶薄膜、所述耐水保护层和所述耐溶剂保护层，即得到图案化的有机场效应晶体管的功能层； 所述后处理包括下述处理1）和2）： 1）采用在丙酮中浸泡的方式除去所述图案化的光刻胶薄膜和所述耐水保护层； 2）采用在水中浸泡的方式除去所述耐溶剂保护层。
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