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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种电离层总电子含量预测方法、系统、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116933083B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310907810.4，技术领域涉及：G06F18/214；该发明授权一种电离层总电子含量预测方法、系统、电子设备及介质是由汤俊;胡嘉诚;樊慈航;张伟;许浪设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电离层总电子含量预测方法、系统、电子设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开一种电离层总电子含量预测方法、系统、电子设备及介质，涉及电离层总电子含量预测领域，方法包括：首先获取待预测站点t时刻的多源观测数据，利用电离层总电子含量预测模型，对待预测站点t时刻的多源观测数据进行数据同化，得到电离层总电子含量真值。其中，电离层总电子含量预测模型是利用训练数据集对层状贝叶斯网络进行训练得到的。本发明提高了电离层总电子含量预测的准确性。

本发明授权一种电离层总电子含量预测方法、系统、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种电离层总电子含量预测方法，其特征在于，包括： 获取待预测站点t时刻的多源观测数据；观测数据为电离层总电子含量；多源包括全球导航卫星系统、电离层测高仪、Jason卫星和非相干散射雷达； 根据所述待预测站点t时刻的多源观测数据，利用电离层总电子含量预测模型，预测所述待预测站点t时刻的电离层总电子含量真值；其中，所述电离层总电子含量预测模型是利用训练数据集对层状贝叶斯网络进行训练得到的；所述训练数据集包括训练用观测站点的多源观测数据和电离层物理模型的输出数据；所述观测数据为电离层总电子含量观测值；所述层状贝叶斯网络包括数据模型、过程模型和参数模型； 所述数据模型为： Zt＝Ot+εt；其中，Zt为t时刻所有训练用观测站点的多源观测数据；Ot为t时刻所有训练用观测站点电离层总电子含量真值，εt为t时刻所有训练用观测站点的观测误差项； 所述过程模型为： Ot＝ξ+ρOt-1+β0+βSXt+ηt；其中，ξ为观测区域内电离层总电子含量分布的趋势；ρOt-1表示t-1时刻的电离层总电子含量对t时刻的电离层总电子含量的影响；Ot-1为t-1时刻所有训练用观测站点电离层总电子含量；Xt是电离层物理模型的输出数据；β0为不随时间空间变化的常量；βS为随空间变化的变量；ηt为残差项； 所述参数模型只定义五个参数的先验概率分布；其中，观测区域内电离层总电子含量分布的趋势ξ根据站点数据进行自回归滑动平均模型分析，方差类参数服从IG分布，0＜ρ＜1。

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