华中科技大学董天文获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种高温度系数热敏材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117142850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311056163.7，技术领域涉及：C04B35/468；该发明授权一种高温度系数热敏材料的制备方法是由董天文;傅邱云;张宁;董文设计研发完成，并于2023-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高温度系数热敏材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子陶瓷元件制备技术领域，更具体地，涉及一种高温度系数热敏材料的制备方法。将石墨烯与陶瓷粉末均匀混合，经还原烧结后石墨烯均匀分散于钛酸钡陶瓷晶粒晶界处，并于再氧化过程中石墨烯被氧化排除形成二维孔隙，作为氧气传输路径，促进陶瓷晶界被再氧化形成势垒，制备得到高致密度低再氧化温度高温度系数多孔钛酸钡基热敏陶瓷。本发明可适用于现有钛酸钡热敏陶瓷制备工艺，只需添加少量石墨烯即可实现钛酸钡热敏陶瓷再氧化温度的降低，制备得到具有高致密度、较高升阻比和高温度系数的钛酸钡热敏陶瓷。
本发明授权一种高温度系数热敏材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高温度系数钛酸钡基热敏陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）将施主掺杂的钛酸钡基粉体与碳酸钡粉末、二氧化硅粉末以及石墨烯混合，成型得到陶瓷素坯；热处理排除成型过程中引入的有机物，得到排胶后的素坯； （2）将步骤（1）所述排胶后的素坯在惰性气氛或还原气氛中煅烧，得到陶瓷块体； （3）将步骤（2）所述陶瓷块体在含氧气氛中进行再氧化，再氧化过程中石墨烯被氧化并排除形成二维孔隙，陶瓷晶界被再氧化形成势垒，得到高温度系数钛酸钡基热敏陶瓷材料。
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