浙江大学;北京元芯碳基集成电路研究院金传洪获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学;北京元芯碳基集成电路研究院申请的专利纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119284827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311148341.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件是由金传洪;汪博;任锡标;张志勇设计研发完成，并于2023-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件，该方法包括：在衬底上制备晶格取向具有相对夹角的双层二维材料，该双层二维材料作为模板；确定双层二维材料的晶格取向的相对夹角对应的要制备的纳米管的手性参数，基于确定的手性参数确定纳米带取向和纳米带宽度，基于要制备的纳米管的密度和纳米带宽度确定纳米带间的间距，并基于确定的纳米带取向、纳米带宽度和纳米带间的间距来刻蚀双层二维材料，得到双层二维材料的纳米带阵列；将得到的双层二维材料的纳米带阵列进行热激励处理，得到纳米管阵列。本发明能够制备出密度、取向性和手性均可控的纳米管阵列。
本发明授权纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件在权利要求书中公布了：1.一种纳米管阵列制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 模板制备步骤，在衬底上制备晶格取向具有相对夹角的双层二维材料，该双层二维材料作为模板； 纳米带阵列刻蚀步骤，确定双层二维材料的晶格取向的相对夹角对应的要制备的纳米管的手性参数，基于确定的手性参数确定纳米带取向和纳米带宽度，基于要制备的纳米管的密度和纳米带宽度确定纳米带间的间距，并基于确定的纳米带取向、纳米带宽度和纳米带间的间距来刻蚀双层二维材料，得到双层二维材料的纳米带阵列； 纳米管阵列生成步骤，将得到的双层二维材料的纳米带阵列进行热激励处理，得到纳米管阵列。
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