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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080400U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322572031.1，技术领域涉及：H10D86/60；该实用新型阵列基板及显示面板是由艾飞;宋德伟;罗成志设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一有源层为低温多晶硅，第二薄膜晶体管的第二有源层为氧化物半导体；第一薄膜晶体管为底栅结构，第二薄膜晶体管为顶栅结构，第一薄膜晶体管的第一栅极与第二薄膜晶体管的第二栅极同层设置，第一薄膜晶体管的第一源漏极与第二薄膜晶体管的第二源漏极同层设置，能够减少制备阵列基板所需的光罩数量，有利于节约生产成本。

本实用新型阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、以及设置于所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的第二有源层为氧化物半导体； 所述第一薄膜晶体管为顶栅结构，所述第二薄膜晶体管为底栅结构，所述第一薄膜晶体管的第一栅极与所述第二薄膜晶体管的第二栅极同层设置，所述第一薄膜晶体管的第一源漏极与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极同层设置； 所述阵列基板还包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间介质层、第一平坦层和第一电极；所述第一有源层位于所述衬底一侧，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一有源层远离所述衬底一侧，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极远离所述衬底的一侧，所述第二有源层位于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧，所述层间介质层覆盖所述第二有源层远离所述衬底的一侧，所述第一源漏极和所述第二源漏极位于所述层间介质层远离所述衬底的一侧，所述第一平坦层覆盖所述第一源漏极和所述第二源漏极远离所述衬底的一侧，所述第一电极位于所述第一平坦层远离所述衬底的一侧，所述第一电极通过贯穿所述第一平坦层和所述层间介质层的第一开口与所述第二有源层电连接； 其中，所述第一开口在所述衬底上的正投影落入所述第二栅极在所述衬底上的正投影内，所述第二有源层包括沟道部以及位于所述沟道部相对两侧的掺杂部，所述沟道部在所述衬底上的正投影位于所述第二栅极在所述衬底上的正投影中靠近所述第二源漏极的第二源极的一侧； 所述第一电极为像素电极，所述第一电极和所述第二源漏极中的第二漏极采用一体化设计，所述第一电极位于所述第一平坦层上，所述第二漏极的一部分位于所述第一开口的内壁上且与所述第一电极电连接，所述第二漏极的另一部分位于所述第一开口的底壁上且与所述第二有源层电连接。

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