买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311675872.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件及其制备方法是由陈伟;郭飞;袁俊;成志杰;吴阳阳;王宽设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件由下至上包括依次层叠设置的漏极、衬底、外延层和源极；外延层表面设置有P阱区和源极N+区，P阱区位于源极N+区下方；外延层内还设置有呈多级阶梯状的源极沟槽和栅极沟槽。栅极沟槽内壁沉积有栅极介质层，其内部填充有第一填充介质作为栅极。栅极沟槽的开口处盖设有用于隔开栅极和源极的层间介质层。源极沟槽的内壁沉积有源极介质层，其内部填充有第二填充介质。源极沟槽的侧壁和底部设置有源极P+区。源极N+区与源极之间设置有欧姆接触金属层。该器件结构能显著降低栅槽角电场，提高器件的反向续流能力并降低开关损耗。

本发明授权一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件，其特征在于，由下至上包括依次层叠设置的漏极、衬底、外延层和源极；所述外延层背离所述衬底一侧的表层中设置有P阱区和源极N+区，所述P阱区位于所述源极N+区下方；所述外延层内设置有多个栅极沟槽和多个源极沟槽；每个所述栅极沟槽内壁沉积有栅极介质层，其内部填充有第一填充介质作为栅极；每个所述栅极沟槽的开口处盖设有用于隔开所述栅极和所述源极的层间介质层；每个所述源极沟槽为呈阶梯状的多级沟槽，其阶梯数n≥2且n为整数；每个所述源极沟槽的侧壁和底部通过离子注入形成有源极P+区；每个所述源极沟槽的内壁沉积有源极介质层，其内部填充有第二填充介质；所述源极N+区与所述源极之间设置有欧姆接触金属层；所述P阱区布满所述外延层背离所述衬底一侧的表层，所述源极介质层的材料为所述欧姆接触金属层的金属，至少一个所述源极沟槽的至少一个子沟槽的侧壁未被所述源极P+区完全屏蔽，在未被屏蔽的区域设置有N+导流区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。