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龙图腾网获悉北京大学申请的专利自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311694549.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件是由吴恒;王润声;黎明;卢浩然;孙嘉诚;黄如设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件，上述方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，第一层间介质层包裹第一有源结构、第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，第二层间介质层包裹第二有源结构、第二源漏结构和第二源漏金属；其中，第一源漏金属和第二源漏金属通过互连通孔结构连通，互连通孔结构贯穿第一层间介质层和第二层间介质层。通过本申请，可以降低在源漏互连方案中对刻蚀时间的控制难度。

本发明授权自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件在权利要求书中公布了：1.一种自对准晶体管的源漏互连方法，其特征在于，所述方法包括： 在半导体衬底上形成有源结构，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构； 基于所述第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，所述第一层间介质层包裹所述第一有源结构、所述第一源漏结构和所述第一源漏金属； 倒片并去除所述半导体衬底； 基于所述第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，所述第二层间介质层包裹所述第二有源结构、所述第二源漏结构和所述第二源漏金属； 其中，所述第一源漏金属和所述第二源漏金属通过互连通孔结构连通，所述互连通孔结构贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层； 所述基于所述第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，包括：刻蚀所述第一有源结构的一部分，以形成所述第一源漏结构；在所述第一有源结构和所述第一源漏结构上沉积半导体材料，以形成第一层间介质层；刻蚀所述第一层间介质层的第一部分，以形成所述第一源漏金属；刻蚀所述第一层间介质层的第二部分，以形成第一互连通孔结构，所述第一互连通孔结构与所述第一源漏金属连接； 所述刻蚀所述第一层间介质层的第二部分，以形成第一互连通孔结构，包括：刻蚀所述第一层间介质层的第二部分，以形成槽形孔，其中，刻蚀深度低于所述第一源漏结构的外延；在所述槽形孔中沉积金属材料，以形成所述第一互连通孔结构； 所述互连通孔结构位于所述有源结构的一侧；或，所述互连通孔结构位于所述有源结构的两侧；或，所述互连通孔结构位于所述有源结构的中间。

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