湖北九峰山实验室李成果获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种氮极性氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117894831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311813492.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮极性氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法是由李成果;沈晓安设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮极性氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氮极性氮化物高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该晶体管由下至上依次包括衬底、成核层、半绝缘层、缓冲层、掺杂层和脊型台面结构，及源电极、漏电极和栅电极；脊型台面结构由下至上包括背势垒层和沟道层。在脊型台面结构的一侧，源电极从沟道层的上表面沿脊型台面结构的侧壁延伸至掺杂层的上表面上；在脊型台面结构的另一侧，漏电极从沟道层的上表面沿脊型台面结构的侧壁延伸至掺杂层的上表面上。栅电极位于源电极和漏电极之间。从衬底到沟道层的方向为氮极性晶向。该器件结构能抑制背势垒类施主态陷阱电荷造成的电流崩塌现象，提高背势垒对沟道电子的限制作用和减小导通电阻，从而提高器件性能和可靠性。
本发明授权一种氮极性氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮极性氮化物高电子迁移率晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、成核层、半绝缘层、缓冲层、掺杂层、脊型台面结构，以及源电极、漏电极和栅电极；所述脊型台面结构由下至上包括背势垒层和沟道层，所述背势垒层的底面为所述脊型台面结构的底面，所述沟道层的上表面为所述脊型台面结构的上表面；所述沟道层与所述背势垒层的界面处存在二维电子气；在所述脊型台面结构的一侧，所述源电极从所述沟道层的上表面沿着所述脊型台面结构的侧壁延伸至所述掺杂层的上表面上；在所述脊型台面结构的另一侧，所述漏电极从所述沟道层的上表面沿着所述脊型台面结构的侧壁延伸至所述掺杂层的上表面上；所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间的所述沟道层上；所述半绝缘层、所述缓冲层、所述掺杂层、所述背势垒层和所述沟道层的材料均为IIIA族元素的氮化物半导体材料；所述掺杂层的掺杂类型为n型；从所述衬底到所述沟道层的方向为氮极性晶向。
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