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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117779204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311833546.0，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法是由史鲁川;赵建发;靳常青设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种Cu1234超导体临界电流密度提升的方法，属于超导材料技术领域，用以解决现有技术方法合成的Cu1234超导体多晶块体材料的实际临界电流密度低于晶粒本征临界电流密度的问题。本发明的方法将制备的Cu1234超导体多晶块体材料在特定的温度及氧气氛围中进行热处理，通过特定的热处理温度和热处理时间设置，可以使样品能够充分释放内应力，连续调控晶格中氧含量，改善晶界弱连接和晶格畸变等造成多晶块体材料实际电流密度降低的问题，有效提高Cu1234超导体多晶块体材料的临界电流密度Jc。

本发明授权一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法在权利要求书中公布了：1.一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法，其特征在于，包括将Cu1234超导体多晶块体材料在温度200~450℃，氧气氛围中热处理6~20h； 经过热处理后的Cu1234超导体多晶块体材料的临界电流密度为6862-14872Acm2@5K，0T； 所述的Cu1234超导体多晶块体材料通过如下方法制备而成： （1）将BaO2粉末和CuO粉末混合，研磨，合成，得到BaCuO2化合物粉末； （2）将CaO粉末和CuO粉末混合，研磨，合成，得到Ca2CuO3化合物粉末； （3）将BaCuO2粉末、Ca2CuO3粉末、CaO粉末、CuO粉末和BaO2粉末进行混合，研磨，得到超导相起始反应混合物； （4）将所述的超导相起始反应混合物压成圆柱状样品，然后采用金箔密封包裹，得到密封样品； （5）将所述的密封样品放入六面顶压机中进行高压高温合成，得到Cu1234超导体多晶块体材料； 所述的热处理使Cu1234超导体多晶块体材料能够充分释放内应力，连续调控晶格中氧含量，改善晶界弱连接和晶格畸变造成实际电流密度降低，优化载流子浓度和氧空位有序，有效提高Cu1234超导体多晶块体材料的临界电流密度J c 。

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