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龙图腾网获悉黄淮学院申请的专利一种聚合物衍生C_f-Si₃N₄复合陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117865703B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410075781.4，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权一种聚合物衍生C_f-Si₃N₄复合陶瓷及其制备方法是由彭文峰;邵刚;张壮飞;王欣宇;王海龙;张锐;胡益博设计研发完成，并于2024-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种聚合物衍生C_f-Si₃N₄复合陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于氮化硅陶瓷材料制备技术领域，具体涉及一种聚合物衍生Cf‑Si3N4复合陶瓷及其制备方法。本发明提供的聚合物衍生Cf‑Si3N4复合陶瓷的制备方法，采用聚合物衍生结合高温高压方法制备复合陶瓷。本发明通过对聚合物形成的先驱体陶瓷粉体的工艺进行设计，能够有效得到微纳米级别的非晶SiCN前驱体；结合高温高压技术能够有效促进聚合物前驱体陶瓷的高温晶化与致密化。本发明提供的上述方法，不仅能够实现CfSi3N4复合陶瓷的快速制备，而且制备所得复合陶瓷具有优良的致密度、电导性以及力学性能，非常适合用来制备碳增强陶瓷基复合材料，在氮化硅陶瓷材料的制备和应用领域具有广泛的实际应用价值。

本发明授权一种聚合物衍生C_f-Si₃N₄复合陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种聚合物衍生Cf-Si3N4复合陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1非晶SiCN陶瓷粉体的制备：在保护气氛下，将聚硅氮烷先驱体与热固剂混合，得到混合物；在真空条件下，将所述混合物在110～200℃温度下进行热固化，得到固化物；在保护气氛下，将所述固化物于1000～1300℃温度下进行热解，得到前驱体陶瓷；将所述前驱体陶瓷进行球磨，得到微纳米级别的非晶SiCN陶瓷粉体；所述聚硅氮烷先驱体的结构式为其中，所述结构式中，x为0.2，y为0.8；所述热固剂为过氧化二异丙苯；热固剂的用量为聚硅氮烷先驱体质量的1％～2％； 2Cf-Si3N4复合陶瓷的制备：将步骤1得到的非晶SiCN陶瓷粉体预压成型后进行高温高压烧结，即得聚合物衍生Cf-Si3N4复合陶瓷；所述高温高压烧结的压力为5～6GPa，温度为1300～1500℃；所述高温高压烧结的时间为10～30min； 所述聚合物衍生Cf-Si3N4复合陶瓷的物相为结晶态Si3N4，并含有石墨片相。

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