广州增芯科技有限公司苏洋获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117995754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410162752.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件是由苏洋;孙九龙;刘欣;康小磊;李丹妮设计研发完成，并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件；该方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上沿背离硅衬底的方向依次形成垫二氧化硅层与氮化硅层；在氮化硅层和垫二氧化硅上形成图形化的第一掩模层；其中，第一掩模层包括第一窗口区和阻挡区；以第一掩模层为掩模对位于第一窗口区的氮化硅层与垫二氧化硅层依次进行刻蚀，刻蚀终点停留在硅衬底的表面；采用湿法刻蚀对氮化硅层进行回刻，以暴露出氮化硅以下部分的垫二氧化硅层，以形成包括第二窗口区的第二硬掩模层；以第二硬掩模层为掩模，对第二窗口内的垫二氧化硅层以及硅衬底进行刻蚀，圆角化至少部分垫二氧化硅层下覆盖的浅沟槽边沿的顶角，并形成预设深度的浅沟槽。
本发明授权浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽制备方法，其特征在于，包括： 提供一硅衬底； 在所述硅衬底上沿背离所述硅衬底的方向依次形成垫二氧化硅层与氮化硅层； 在所述氮化硅层和所述垫二氧化硅层上形成图形化的第一掩模层；其中，所述第一掩模层包括第一窗口区和阻挡区； 以所述第一掩模层为掩模对位于所述第一窗口区的所述氮化硅层与所述垫二氧化硅层依次进行干法刻蚀，刻蚀终点停留在所述硅衬底的表面； 采用湿法刻蚀对所述氮化硅层进行回刻，以暴露出所述氮化硅层以下部分的所述垫二氧化硅层，以形成包括第二窗口区的第二硬掩模层； 以所述第二硬掩模层为掩模，对所述第二窗口区内的垫二氧化硅层以及所述硅衬底进行干法刻蚀，圆角化至少部分所述垫二氧化硅层下覆盖的浅沟槽边沿的顶角，并形成预设深度的浅沟槽； 其中，所述硅衬底相较于所述垫二氧化硅层的刻蚀选择比满足：在浅沟槽刻蚀深度达到最终深度的75％～99％时，所述暴露出的垫二氧化硅层被部分消耗或被完全消耗。
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