北京怀柔实验室魏晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410176647.3，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用是由魏晓光;唐新灵;韩荣刚;林仲康;王亮;李玲设计研发完成，并于2024-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件的封装结构、方法及应用，属于半导体封装领域；所述功率半导体器件的封装结构包括：芯片，布置在芯片的第一侧的阴极电极；以及，布置在芯片与第一侧相对的第二侧的阳极电极；所述阴极电极与所述阳极电极中的至少一个使用导电金属复合材料。本发明通过分别降低体热阻和接触热阻的方法实现器件整体热阻的大幅降低，提升了器件的电流等级，并且降低了封装工艺的复杂性。
本发明授权功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括： 芯片； 布置在芯片的第一侧的阴极电极；以及 布置在芯片与第一侧相对的第二侧的阳极电极； 其中，所述阴极电极与所述阳极电极中的至少一个使用导电金属复合材料制备；其中，所述导电金属复合材料为铜金刚石或铝金刚石，且所述铜金刚石或铝金刚石中，金刚石的体积分数为40％-70％；所述导电金属复合材料热导率大于400Wm·K，热膨胀系数小于10e-6K；所述阴极电极与所述阳极电极面向芯片一侧的表面平面度小于等于10μm，表面粗糙度Ra小于等于0.7μm；所述导电金属复合材料制备的阴极电极和或阳极电极具有延径向梯度分布的金刚石分浓度，使得所述阴极电极和或阳极电极延径向具有不同的热膨胀系数，越靠近电极中心，热膨胀系数越高。
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