西安交通大学胡磊获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种超声喷雾热解制备的负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118221157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410305421.9，技术领域涉及：C01G31/00；该发明授权一种超声喷雾热解制备的负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7及其制备方法是由胡磊;李俊麒;覃飞宇;丁向东设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超声喷雾热解制备的负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超声喷雾热解制备的负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7及其制备方法，以去离子水为溶剂配制铜离子溶液A和钒离子溶液B，溶液A与溶液B混合得到前驱体溶液；前驱体溶液进行超声喷雾处理，得到雾状液滴；热解，干燥，收集产物，在670℃～700℃下煅烧2h，得到Cu2V2O7纳米球形颗粒，采用超声喷雾热解方法制备的负热膨胀材料Cu2V2O7为球形和近球形，具有较高的流动性，适合实际应用。本发明的制备方法成本低廉，工艺简单，对设备要求低，易于工业化生产。
本发明授权一种超声喷雾热解制备的负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超声喷雾热解制备负热膨胀电子封装材料Cu2V2O7方法，其特征在于包括如下步骤： 步骤一、以去离子水为溶剂配制铜离子溶液A，所述铜离子溶液A中铜离子浓度为0.08～0.09molL； 步骤二、以去离子水为溶剂配制钒离子溶液B，所述钒离子溶液B中钒离子浓度为0.08～0.09molL； 步骤三、将步骤一配制的溶液A与步骤二配制的溶液B混合，搅拌，通过加入HNO3调节混合溶液pH值为1～2，得到前驱体溶液； 步骤四、将步骤三得到的前驱体溶液加入到超声波雾化器中进行超声喷雾处理，得到雾状液滴； 步骤五、采用惰性气体将步骤四所述的雾状液滴送入预热的管式炉中，在670℃～700℃进行热解4～8h；在管式炉另一侧用去离子水收集样品，干燥，收集产物； 步骤六、对步骤五所述产物以5℃min速率升温，在670℃～700℃下煅烧2h，得到Cu2V2O7纳米球形颗粒。
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