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龙图腾网获悉国网江苏省电力有限公司南京供电分公司申请的专利一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118232895B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410355628.7，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件是由李想;周宇;金科;许国胜;张乐涛;夏克凡;冯瀚飞;陈奕安;李森文;曹昕;朱睿设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件。该过流保护电路包括：第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路；电流检测电路用于检测流经MOSFET的电流并输出给逻辑比较电路；逻辑比较电路用于根据检测的流经MOSFET的电流判断MOSFET是否发生过流故障，并在未发生过流故障时输出第一电平信号至驱动电路，在发生过流故障时输出第二电平信号至驱动电路；驱动电路用于根据第一电平信号或第二电平信号向MOSFET提供导通或关断所需的驱动信号。通过设置第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路以及驱动电路，实现对MOSFET的过流保护，并当发生过流故障时能够在更短的时间内关断器件，以保护器件。

本发明授权一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET过流保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路； 其中，所述第一电阻的第一端与所述MOSFET的漏极电连接；所述第一电阻的第二端与所述电流检测电路电连接；所述电流检测电路还分别与所述MOSFET和所述逻辑比较电路电连接；所述逻辑比较电路还与所述驱动电路电连接；所述驱动电路还与所述MOSFET的栅极电连接； 其中，所述电流检测电路用于检测流经所述MOSFET的电流并输出给所述逻辑比较电路； 所述逻辑比较电路用于根据检测的流经所述MOSFET的电流判断所述MOSFET是否发生过流故障，并在未发生过流故障时输出第一电平信号至所述驱动电路，或者，在发生过流故障时输出第二电平信号至所述驱动电路； 所述驱动电路用于根据所述第一电平信号或所述第二电平信号向所述MOSFET提供所述MOSFET导通或关断所需的驱动信号； 所述电流检测电路包括二极管和第一电容；其中，所述二极管的阳极与所述第一电阻的第二端电连接，所述二极管的阴极分别与所述第一电容的第一端和所述逻辑比较电路电连接；所述第一电容的第二端分别与所述MOSFET的漏极、所述第一电阻的第一端以及所述逻辑比较电路电连接。

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