中国科学院上海微系统与信息技术研究所王家畴获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种谐振式压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118258524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410387844.X，技术领域涉及：G01L1/10；该发明授权一种谐振式压力传感器及其制备方法是由王家畴;田宇博;李昕欣设计研发完成，并于2024-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种谐振式压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种谐振式压力传感器及其制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，于衬底上表层形成间隔设置的拾振电阻及驱动电阻；于衬底上表层形成至少一包括谐振梁及振动间隙的谐振结构，谐振梁包括相连接的第一梁、第二梁及中间梁，驱动电阻及谐振电阻分别位于第一梁、第二梁上表层，振动间隙包括环绕谐振梁的刻蚀槽及位于谐振梁下方并与刻蚀槽相连通的底部空腔；于衬底上表面形成覆盖振动间隙开口及谐振梁上表面且边缘与振动间隙开口间隔第一预设距离的牺牲层、覆盖牺牲层的密封壳；于谐振结构正下方形成自衬底底面开口的凹槽且底部与振动间隙底部间隔第二预设距离；密封壳与振动间隙合围形成密封腔。本发明的压力传感器的制备方法降低了生产成本。
本发明授权一种谐振式压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种谐振式压力传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，于所述衬底上表层形成至少一拾振电阻以及与所述拾振电阻间隔设置的驱动电阻； 于所述衬底上表层形成至少一谐振结构，所述谐振结构包括谐振梁及振动间隙，所述谐振梁包括间隔设置的第一梁、第二梁以及连接所述第一梁及所述第二梁的中间梁，所述驱动电阻位于所述第一梁上表层，谐振电阻位于所述第二梁上表层，所述振动间隙包括环绕所述谐振梁的刻蚀槽以及位于所述谐振梁下方并与所述刻蚀槽相连通的底部空腔； 于所述衬底的上表面形成覆盖所述振动间隙开口及所述谐振梁上表面且边缘与所述振动间隙开口间隔第一预设距离的牺牲层，并形成覆盖所述牺牲层显露表面的密封壳； 于所述谐振结构正下方形成自所述衬底底面开口的凹槽，所述凹槽底部与所述振动间隙的底部间隔第二预设距离； 去除所述牺牲层，所述密封壳与所述振动间隙合围形成密封腔。
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