捷捷半导体有限公司;南京邮电大学钱清友获国家专利权
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龙图腾网获悉捷捷半导体有限公司;南京邮电大学申请的专利一种PIN二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410441085.0，技术领域涉及：H10D8/50；该发明授权一种PIN二极管及其制备方法是由钱清友;姚佳飞;孙启;江林华;管青青;陈勇;孙铭顺设计研发完成，并于2024-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PIN二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种PIN二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的PIN二极管，包括衬底、P型结构以及设置于衬底上的漂移层，其中，P型结构嵌设于漂移层的顶部，P型结构包括P层级以及环绕设置于P层级外周的结扩散区，P层级包括依次设置于漂移层上的P阱层和P重掺杂层，结扩散区的掺杂浓度小于P重掺杂层的掺杂浓度。本申请提供的PIN二极管及其制备方法，能够提高PIN器件的击穿电压。
本发明授权一种PIN二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PIN二极管，其特征在于，包括衬底、P型结构以及设置于所述衬底上的漂移层，其中，P型结构嵌设于所述漂移层的顶部，所述P型结构包括P层级以及环绕设置于所述P层级外周的结扩散区，所述P层级包括依次设置于所述漂移层上的P阱层和P重掺杂层，所述结扩散区的掺杂浓度小于所述P重掺杂层的掺杂浓度； 所述P阱层靠近所述P重掺杂层的一侧形成感生缺陷，以在所述P阱层的上表面形成复合中心层； 采用质子辐照在所述P阱层的一侧形成感生缺陷。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人捷捷半导体有限公司;南京邮电大学，其通讯地址为：226000 江苏省南通市崇川区苏通科技产业园区井冈山路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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