西安电子科技大学赵胜雷获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118472024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410540244.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法是由赵胜雷;桂娟;宋秀峰;孙雪晶;张嘎;于龙洋;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有P‑GaN源极扩展的GaN晶体管，涉及半导体技术领域，包括：外延结构、源极、栅极和漏极，外延结构包括沟道层、位于沟道层一侧的势垒层以及位于势垒层远离沟道层一侧表面的P‑GaN扩展层和P型层；其中，源极与漏极相对设置于势垒层远离沟道层一侧表面的两端，在第一方向上，P‑GaN扩展层位于源极靠近漏极的一侧，P型层位于P‑GaN扩展层与漏极之间，栅极位于P型层远离势垒层一侧的表面，P‑GaN扩展层、势垒层和沟道层形成pin二极管结构；第一方向为源极指向漏极的方向。本发明引入的P‑GaN扩展层可以耗尽其下方的部分二维电子气，进而降低短路饱和电流，增强P‑GaN晶体管的短路可靠性。
本发明授权一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管，其特征在于，包括：外延结构1、源极、栅极和漏极，所述外延结构1包括沟道层11、位于所述沟道层11一侧的势垒层12以及位于所述势垒层12远离沟道层11一侧表面的P-GaN扩展层13和P型层14；其中， 所述源极与所述漏极相对设置于势垒层12远离沟道层11一侧表面的两端，在第一方向上，所述P型层14位于所述源极与所述漏极之间，所述P-GaN扩展层13位于所述源极与所述P型层14之间，栅极位于所述P型层14远离势垒层12一侧的表面，所述P-GaN扩展层13、所述势垒层12和所述沟道层11形成pin二极管结构；所述第一方向为源极指向漏极的方向； 所述P-GaN扩展层13包括多个沿所述第一方向排布的子块131。
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